簡單介紹
專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝,可實現(xiàn)晶圓片高溫真空環(huán)境下完成氧化工藝。可使用O2,N2O,NO,NO2或濕法氧化,采用無金屬加熱和真空裝備。 適用工藝:氧化
產(chǎn)品描述
技術(shù)指標:
? 晶片尺寸:6-8英寸
? 制程溫度范圍: 800-1600°C
? 批次片數(shù): 50-75片
產(chǎn)品特點:
? 采用立式結(jié)構(gòu)、工藝控制好、溫度分布均勻、氣流穩(wěn)定
?Robot自動傳送
? 多點控溫,溫度均勻
? 具有多種報警功能及設(shè)備保護功能
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