簡單介紹
本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(無銥法),將原料放在垂直的坩堝內(nèi), 然后從坩堝頂部開始通過預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。 提供2英寸驗(yàn)證工藝
產(chǎn)品描述
產(chǎn)品特點(diǎn):
? 產(chǎn)量: 2-6英寸
? 極限溫度: 1850℃
? 加熱方式: 電阻/RF
? 自動化: 全自動化(除裝取料外)
? 氣路: 3路
? 襯底: 2英寸
? 單晶: 2英寸 高度:30mm
? 純單晶, 沒有雜質(zhì), 電學(xué)性能不做保證
產(chǎn)品留言
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